增强型和耗尽型MOSFET的主要区别

👉 增强型：默认关(需要加电压才导通)
👉 耗尽型：默认开(需要反向电压才关断)

题目

增强型和耗尽型MOSFET的主要区别是(A)

A、增强型晶体管的沟道掺杂与源极和漏极的类型相反, 而耗尽型晶体的沟道掺杂与源极和漏极的类型相同.
B、增强型晶体管和耗尽型晶体管都被看做常闭型.
C、增强型晶体管的沟道掺杂与源极和漏极的类型相同，而耗尽型晶体管的沟道掺杂与源极和漏极的类型相反.
D、增强型晶体管开启不需要加栅压，而耗尽型晶体管的开启需要加栅压。

增强型 MOSFET(Enhancement)

👉 特点：

初始没有导电沟道
必须加栅压才能建立沟道

📌 本质：
👉 电场增强出沟道

耗尽型 MOSFET(Depletion)

👉 特点：
初始就有导电沟道
加反向电压把沟道耗尽掉
📌 本质：
👉 电场把已有沟道掏空

相关参考

增强型MOSFET和耗尽型的区别_增强型mos和耗尽型mos管区别-CSDN博客